一、专项支持重点

（一）新型平板显示领域

1、高世代（6代及以上）薄膜晶体管液晶显示（TFT-LCD）用高性能混合液晶材料研发和产业化

要求：驱动电压≤7V，响应时间≤15ms，电阻率≥1×10¹³Ω•cm，单体纯度>99.90%，粘度<20mPa•s；申报单位已实现年销售量大于1吨。

2、有源有机发光显示（AMOLED）用高精度金属因钢蒸镀掩膜板研发和产业化

要求：尺寸≥650mm×750mm，最小开口尺寸25μm，开口精度≤±3μm，开口间距≤50μm，定位精度≤±5μm；申报单位已实现年销售量大于80套。

3、AMOLED用高性能、长寿命有机蓝色电致发光、电子传输和空穴注入/传输材料研发和产业化

要求：达产后形成年产发光材料25公斤、其他材料500公斤的生产能力，其中：蓝光材料色度坐标达到CIE（0.14±0.01，0.07±0.01），1000 cd/m²亮度下，效率>6cd/A；空穴传输材料迁移率>8.0×10^-4cm²/Vs；电子传输/空穴注入材料采用飞行时间法测试，迁移率>5.0×10^-3cm²/Vs；玻璃化转变温度Tg≥130℃；驱动电压低于4V情况下，对应器件特性指标LT95寿命要求红、绿（>5000cd/m²）≥3000小时，蓝（>500cd/ m²）≥1000小时；实验片发光区面积3mm×3mm。

4、高分辨率面板驱动IC研发和产业化

要求：支持高分辨率（4K×2K）及以上电视面板、300PPI（每英寸像素数目）及以上手机面板，并可根据面板厂商要求提供不同接口技术。

5、高世代TFT-LCD及AMOLED用PECVD设备研发和产业化

要求：可制备非晶硅、氮化硅、氧化硅、三氧化二铝等薄膜材料，成膜非均匀度≤±3%，基板处理能力≥20片/小时。

6、高世代TFT-LCD及AMOLED用溅射镀膜设备研发和产业化

要求：靶材利用率>75%，薄膜非均匀性<5%，可制备ITO（氧化铟锡）、IGZO（氧化铟镓锌）、铝、钼等薄膜材料。

7、AMOLED蒸镀设备研发及产业化

要求：最大可镀膜基板尺寸650mm×750mm，OLED（发光显示）材料利用率≥25%，OLED镀膜均匀度≤±3%，对位精度2μm，生产节拍120秒。

（二）宽带网络设备领域

1、新一代光纤宽带接入核心设备研发和产业化

要求：支持GPON/XG-PON（吉比特/10吉比特无源光纤网络）共存，单板不少于4个40Gbps接口的PON系统，ONU（光网络单元）支持无色特性。

2、超高速波分复用传输系统研发和产业化

要求：400Gbps高速波分复用传输设备，无电中继传输距离不小于800公里，单光纤速率不低于16Tbps。

3、分组光传送网设备研发和产业化

要求：基于统一信元交换的POTN（分组光传送网）设备，单槽位接入容量不小于200Gbps，整机交换容量不低于6.4Tbps，支持多类型业务，交换容量动态分配，高精度时钟和频率同步传送。

4、高端核心路由器研发和产业化

要求：单板卡单向转发性能不低于400Gbps，单机框转发性能不低于12.8Tbps，支持业务框数量不低于4个的集群形态。

5、高端数据交换设备研发和产业化

要求：单板卡单向转发性能不低于1Tbps，整机双向交换容量不低于20Tbps。

6、运营商级IPv4/IPv6网络地址翻译设备研发和产业化

要求：支持IPv4/IPv6双协议栈，CGN（运营商级网络地址翻译）业务板卡速率不低于200Gbps，整机支持翻译会话数不低于1000万。

二、申报要求

（一）项目建设单位应为企业法人，一个单位限报一个项目。项目建设单位应实事求是制定建设方案，严格控制征地、新增建筑面积和投资规模。项目资金申请报告的具体编写要求及所需附件内容参见附件1。

（三）申报新型平板显示领域的材料厂商需提供与面板企业签署的合作协议；设备厂商需提供与面板企业签署的联合开发协议。其中，申报溅射设备的厂商需提供与配套靶材企业签署的合作协议。

（四）申报宽带网络设备领域的单位，应结合自身基础条件，在支持重点方向中自行选择两类以上设备申报。

请于2014年5月16日前联系沟通项目事宜。电话：010-58090926 （创新资金申报代理信息网）

附件：1.项目资金申报报告编制

      2.项目汇总表 

2014年4月25日